本實(shí)用新型公開了一種GaN基功率器件的柵極結(jié)構(gòu)。所述柵極結(jié)構(gòu)包括依次設(shè)置的介質(zhì)層、第一過渡層、第二過渡層和堆疊柵電極層，在第一過渡層和第二過渡層之間還設(shè)置有一層以上的功函數(shù)層，功函數(shù)層包括基礎(chǔ)材料層，在基礎(chǔ)材料層上設(shè)置有一個以上的窗口，窗口內(nèi)填充有復(fù)合材料，復(fù)合材料至少由形成基礎(chǔ)材料層的基礎(chǔ)材料與功函數(shù)調(diào)節(jié)材料復(fù)合形成；基礎(chǔ)材料選自金屬化合物，功函數(shù)調(diào)節(jié)材料選自金屬材料。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的GaN基功率器件的柵極結(jié)構(gòu)功函數(shù)層內(nèi)的功函數(shù)調(diào)節(jié)材料元素分層分布和/或圖形化分布控，能有效調(diào)制GaN基功率器件的柵極區(qū)域電流和電場密度分布，解決引入功函數(shù)層帶來的不利影響，使器件達(dá)到熱平衡以及能夠提高器件的擊穿電壓。