本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種IGBT電氣單元封裝件。本發(fā)明提供的IGBT電氣單元封裝件包括:散熱底板、外殼、蓋板和IGBT電氣單元,本發(fā)明中散熱底板采用52%?58%體積分?jǐn)?shù)的AlSiC
復(fù)合材料,IGBT電氣單元封裝件采用AlN陶瓷直接覆銅基板,絕緣柵雙極型晶體管
芯片、二極管芯片與陶瓷直接覆銅基板之間連接采用納米Ag焊膏低壓燒結(jié)工藝。本發(fā)明中的IGBT電氣單元封裝件采用具有高氣密性的封裝結(jié)構(gòu),保證該IGBT電氣單元封裝件在高海拔應(yīng)用場景如安裝在運輸機(jī)、戰(zhàn)斗機(jī)上時,不會發(fā)生由于氣壓降低導(dǎo)致IGBT電氣單元封裝件內(nèi)部耐壓能力下降的情況,保證IGBT電氣單元封裝件的可靠性。
聲明:
“IGBT電氣單元封裝件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)