本發(fā)明公開了一種硅基復(fù)合三維微電池納米電極結(jié)構(gòu)。該納米電極結(jié)構(gòu)包括硅納米柱陣列以及復(fù)合于硅納米柱外層的材料層。制作方法包括將清洗、活化處理后的硅襯底上采用旋涂法自組裝單層六方密排的聚苯乙烯納米球;將單層聚苯乙烯納米球做為掩膜,利用掩膜和感應(yīng)耦合等離子體刻蝕技術(shù)進(jìn)行刻蝕;依次用有機(jī)溶劑及標(biāo)準(zhǔn)清洗硅片工藝去除掩膜及刻蝕過程中所產(chǎn)生的副產(chǎn)物;最后利用薄膜沉積、材料生長技術(shù)得到瓶狀硅基復(fù)合納米柱陣列三維電極結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)一方面可以在硅納米柱外層沉積鋰離子阻擋層,進(jìn)而形成硅襯底不參與鋰離子嵌入/脫出的一種三維微電池的結(jié)構(gòu)支撐,另一方面形成的硅或者硅
復(fù)合材料,可以作為鋰離子電池的陽極材料參與電極反應(yīng)。
聲明:
“硅基三維微電池納米電極結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)