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多孔碳雙鍵修飾誘導(dǎo)硅烷沉積的負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用

1062   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:43:36
本發(fā)明公開了一種多孔碳雙鍵修飾誘導(dǎo)硅烷沉積的負(fù)極材料及其制備方法,該硅碳復(fù)合材料包括多孔碳微球及硅顆粒。所述多孔碳微球由導(dǎo)電炭黑(SP)、碳納米管(CNT)構(gòu)成,硅顆粒均勻附著在所述多孔碳微球的內(nèi)部或表面。本發(fā)明基于碳質(zhì)材料導(dǎo)電性、保護(hù)性、機(jī)械強(qiáng)度和循環(huán)穩(wěn)定性且來源豐富、成本低的特點(diǎn),統(tǒng)籌兼顧硅作為主體材料的高比容和碳質(zhì)材料高的導(dǎo)電性和保護(hù)性,針對現(xiàn)有技術(shù)的存在的缺陷,提出一種多孔碳雙鍵修飾誘導(dǎo)硅烷沉積制備硅碳負(fù)極材料的方法。
聲明:
“多孔碳雙鍵修飾誘導(dǎo)硅烷沉積的負(fù)極材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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