本發(fā)明涉及高純粉體材料的制備方法及其應(yīng)用及一種雙相粉體材料。所述高純粉體材料通過“霧化制粉+去相法”制備。所述制備方法首先通過霧化制粉技術(shù)制備由第二相基體包覆第一相顆粒的中間合金粉末。在中間合金粉末的凝固過程中,雜質(zhì)元素被富集到第二相基體,從而使得第一相顆粒得到純化。將中間合金粉末中的第二相基體去除,即可獲得由原第一相顆粒組成的高純目標(biāo)粉體材料。本發(fā)明的制備方法具有工藝簡單、易于操作、成本低的特點(diǎn),可以制備包括納米級、亞微米級、以及微米級的多種高純粉體材料,在催化材料、
粉末冶金、
復(fù)合材料、吸波材料、殺菌材料、金屬注射成型、3D打印增材制造、涂料等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。
聲明:
“高純粉體材料的制備方法及其應(yīng)用及一種雙相粉體材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)