一種基于無機(jī)絕緣層改性的
儲能聚合物復(fù)合薄膜及其制備方法,它屬于電介質(zhì)電容器儲能
復(fù)合材料領(lǐng)域。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題為聚合物介質(zhì)儲能性能低和擊穿特性差。本發(fā)明由聚合物薄膜作為中間層、無機(jī)絕緣層作為頂層和底層所構(gòu)成。首先采用流延法制備PMMA聚合物薄膜,然后利用磁控濺射方法在PMMA聚合物薄膜上下表面沉積生長等厚度的致密均勻SiO
2絕緣層,制得基于無機(jī)絕緣層改性的儲能聚合物復(fù)合薄膜。本發(fā)明引入SiO
2絕緣層顯著改善PMMA聚合物薄膜的儲能性能,具有更高極化強(qiáng)度、儲能效率和擊穿場強(qiáng),有望作為一種解決電介質(zhì)電容器應(yīng)用與推廣技術(shù)難題的新型材料。本發(fā)明制備工藝的成本較低,實(shí)施較易,環(huán)保性好。
聲明:
“基于無機(jī)絕緣層改性的儲能聚合物復(fù)合薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)