一種高介電常數(shù)和低介電損耗的聚合物復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用,屬于嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件等應(yīng)用領(lǐng)域。本發(fā)明要解決相比無(wú)機(jī)陶瓷材料的高介電常數(shù),聚偏氟乙烯及其共聚物還難以滿足現(xiàn)在嵌入式電容器以及半導(dǎo)體儲(chǔ)存器件生產(chǎn)應(yīng)用的需求。本發(fā)明所述CNT@PDA是由多巴胺(DA)在
碳納米管(CNT)表面自聚生成聚多巴胺(PDA)而制備,同時(shí)改變基體聚合物的種類和填料的添加量,得到一種高介電常數(shù)低介電損耗的聚合無(wú)機(jī)
復(fù)合材料。本發(fā)明廣泛用于現(xiàn)代嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件等的領(lǐng)域。
聲明:
“高介電常數(shù)和低介電損耗的聚合物復(fù)合薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)