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核殼結構的SiC@C納米線準陣列及其制備方法與應用

1086 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 17:46:47

本發(fā)明涉及一種核殼結構的SiC@C納米線準陣列及其制備方法與應用，屬于納米材料技術領域。本發(fā)明公開了一種核殼結構的SiC@C納米線準陣列，所述SiC@C納米線準陣列中SiC的相組成為3C?SiC，殼層的C為PEDOT層經冷凍干燥、碳化后的摻雜硫元素的碳材料。本發(fā)明還公開了一種核殼結構的SiC@C納米線準陣列的制備方法，所述的制備方法包括：將預處理后的碳布覆蓋在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩堝口，在高溫氣氛爐中加熱，冷卻后得沉積SiC準陣列的碳布；將沉積SiC納米線的碳布置于反應真空室，將汽態(tài)的EDOT誘導進入反應真空室，汽態(tài)的FeCl3引入反應真空室后沉積得SiC@PEDOT納米線準陣列，清洗后經冷凍干燥、碳化得硫摻雜的SiC@C納米線復合材料。

聲明：

“核殼結構的SiC@C納米線準陣列及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)