本發(fā)明一種三維陣列
碳納米管及其制備方法,屬于
納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域;所述碳納米管單根直徑為30?50nm,長(zhǎng)度為2?3μm。制備方法步驟為:步驟1:在基底上生長(zhǎng)氧化物納米陣列作為模板,并在烘箱中干燥完全;步驟2:在步驟1得到的氧化物納米陣列上包覆碳層;步驟3:在400?800℃下進(jìn)行化學(xué)氣相沉積CVD反應(yīng),在反應(yīng)過(guò)程中去除模板以及完成表面碳化過(guò)程,最終得到所述三維陣列碳納米管。本發(fā)明制備工藝簡(jiǎn)單,成本低廉,易于調(diào)控,可大規(guī)模生產(chǎn)??捎糜诖呋⒛茉醇?a href="http://www.189000b.com/meet_show-74.html" target="_blank">復(fù)合材料等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)方式制備的無(wú)序堆疊的碳納米管相比,本發(fā)明制備了高度有序的垂直氮摻雜碳納米管(V?CNTs)。
聲明:
“三維陣列碳納米管及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)