本發(fā)明公開了一種Si襯底上InGaN納米柱@Au納米粒子復(fù)合結(jié)構(gòu)及其制備方法與應(yīng)用,其中,貴金屬Au納米粒子的SPR效應(yīng)可以進(jìn)一步增強(qiáng)半導(dǎo)體InGaN納米柱對太陽光的吸收;此外,Au納米粒子與半導(dǎo)體InGaN納米柱界面處產(chǎn)生的肖特基勢壘有利于促進(jìn)光生電子空穴對的分離,從而提高器件的PEC光電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明制備Si襯底上InGaN納米柱@Au納米粒子復(fù)合結(jié)構(gòu)的方法,具有生長工藝簡單、可重復(fù)性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。最后,本發(fā)明公開的Si襯底上InGaN納米柱@Au納米粒子
復(fù)合材料,禁帶寬度在0.67~3.4?eV范圍可調(diào),具有較大的比表面積,對太陽光有較強(qiáng)的吸收,適用于光電解水產(chǎn)氫。
聲明:
“Si襯底上InGaN納米柱@Au納米粒子復(fù)合結(jié)構(gòu)及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)