本申請屬于光電器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電子傳輸材料，所述電子傳輸材料具有核殼結(jié)構(gòu)包括：ZnO核，以及包覆所述ZnO核的ZrO2殼層。本申請電子傳輸材料具有核殼結(jié)構(gòu)，寬帶隙半導(dǎo)體ZrO2殼層，可提高了核殼結(jié)構(gòu)納米晶復(fù)合材料的穩(wěn)定性，有利于電子的傳輸。同時，當(dāng)電子傳輸材料應(yīng)用于光電器件時，ZrO2的寬帶隙可以有效的阻擋空穴從發(fā)光層傳輸?shù)疥枠O，從而使電子和空穴在發(fā)光層中有更高的復(fù)合效率。并且，ZrO2殼層可以填補ZnO表面的氧空位，減少ZnO表面的氧空位，從而降低ZnO表面氧缺陷的形成，減少電子空穴對的輻射組合，提高電子傳輸性能，增強器件的發(fā)光效率。