本發(fā)明公開了一種抗輻照的高熵合金/陶瓷多層薄膜,包括交替沉積的TaWTiVMo高熵合金層和
氧化鋁層;高熵合金層包括以下質量百分數(shù)的元素:28%~32%Ta,30%~36%W,15%~20%Ti,8%~13%V,余量是Mo,TaWTiVMo高熵合金層為體心立方結構;氧化鋁層中有納米空洞。本發(fā)明還公開了一種抗輻照的高熵合金/陶瓷多層薄膜的制備方法。本發(fā)明利用高熵合金薄膜和Al2O3薄膜,制備納米尺度的多層薄膜,二者形成的多層
復合材料增加了晶界密度,顯著提升輻照環(huán)境下工作的電子設備元件的抗輻照性能。
聲明:
“抗輻照高熵合金/陶瓷多層薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)