本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體基材構(gòu)造,利用填充高分子材料于傳統(tǒng)基材的方法來改善基材特性;該半導(dǎo)體基材構(gòu)造包含有基材,具有穿透孔及溝槽;其中該穿透孔及溝槽內(nèi)填充有高分子材料及
復(fù)合材料。本實(shí)用新型具有高平整度及切割不易生毛邊的優(yōu)點(diǎn),且不易變形,增加了產(chǎn)品封裝的良率及品質(zhì),而使用發(fā)光二極管的
芯片或一般IC集成電路芯片封裝時(shí),會(huì)易于達(dá)成電子芯片所需的封裝需求,而且比公知的基材構(gòu)造成本低。
聲明:
“半導(dǎo)體基材構(gòu)造” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)