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PI柔性襯底太陽(yáng)電池用P型微晶硅碳薄膜材料及制備

801   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 20:18:16
PI柔性襯底太陽(yáng)電池用P型微晶硅碳薄膜材料及制備,本發(fā)明涉及新能源中薄膜太陽(yáng)電池領(lǐng)域。所述的P型微晶硅碳薄膜材料層厚15-30nm,電導(dǎo)0.15S/cm-10S/cm,帶隙在2.0eV以上,晶化率為30%-50%。本發(fā)明通過(guò)改變碳摻雜比例的優(yōu)化研究,控制材料的光電性能和結(jié)構(gòu)特性,利用碳原子引入可增大硅薄膜帶隙的效應(yīng)來(lái)得到高電導(dǎo)、寬帶隙的P型微晶硅碳。本發(fā)明的效益是:將這種寬帶隙的P型微晶硅碳材料用于PI不透明柔性襯底非晶硅薄膜太陽(yáng)電池中并結(jié)合優(yōu)化的p/i緩沖層,可顯著增強(qiáng)薄膜電池的內(nèi)建電場(chǎng),提高電池的開(kāi)路電壓,從而得到高光電轉(zhuǎn)換效率的非晶硅薄膜太陽(yáng)電池。
聲明:
“PI柔性襯底太陽(yáng)電池用P型微晶硅碳薄膜材料及制備” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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