本發(fā)明公開了用于大功率瞬態(tài)抑制二極管的氮化鋁基材及焊接方法,涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用氮化鋁基材作為導(dǎo)電框架,導(dǎo)電框架采用整面的氮化鋁基材作為表面,進(jìn)行鍍銅工藝制成焊接硅片管腳Pad;氮化鋁基材的連接方式使用金手指,氮化鋁基材的上部框架的折彎高度為加載
芯片高度加上錫膏厚度之和的1.2倍;氮化鋁基材的正面覆銅。本發(fā)明減少了芯片熱擊穿失效的概率,大幅度解決了瞬變過程中的高di/dt瞬態(tài)產(chǎn)生的電磁干擾EMI問題,提高了芯片與基板之間的絕緣性;采用氮化鋁材料具有與芯片襯底Si相匹配的膨脹系數(shù),降低了產(chǎn)品因膨脹系數(shù)差異的失效,在5G基站、新能源、電動汽車等應(yīng)用場景具有很好的市場前景。
聲明:
“用于大功率瞬態(tài)抑制二極管的氮化鋁基材及焊接方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)