本發(fā)明屬光電轉(zhuǎn)換與新能源領(lǐng)域,為解決現(xiàn)有技術(shù)中氧化鐵光陽極不能實現(xiàn)完全光解水的技術(shù)問題,提出一種內(nèi)嵌硅pn結(jié)的氧化鐵光陽極體系及制備方法,包括氧化鐵吸收層、p型硅摻雜層、n型硅基底、背導電層、背防水絕緣層;所述的p型硅摻雜層與n型硅基底構(gòu)成硅pn結(jié);硅pn結(jié)的形貌為金字塔陣列結(jié)構(gòu);p型硅摻雜層與氧化鐵吸收層之間設(shè)置有透明導電隧穿層。內(nèi)嵌硅pn結(jié)使得硅層吸收入射光時產(chǎn)生較大的光電壓,此光電壓將與氧化鐵吸收層形成串聯(lián)關(guān)系,相當于外加了此大小的電壓于氧化鐵層,將有效降低氧化鐵光陽極的開啟電壓,提高了氧化鐵吸收層的導電率及其光生載流子的收集效率,從而實現(xiàn)了完全光解水。
聲明:
“內(nèi)嵌硅pn結(jié)的氧化鐵光陽極體系及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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