一種直接?間接混合型
鈣鈦礦X射線探測(cè)器以及間接型X射線探測(cè)閃爍體材料的光產(chǎn)額計(jì)算方法,屬于X射線探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。從下至上,由陽(yáng)極Au、空穴傳輸層Spiro?OMeTAD、直接?間接混合型鈣鈦礦X射線探測(cè)壓片材料、電子傳輸層C60、空穴阻擋層BCP和陰極Cr組成。該器件的Cs3Cu2I5閃爍體可以向MAPbI3半導(dǎo)體發(fā)生電荷能量轉(zhuǎn)移,其響應(yīng)時(shí)間大幅度縮減為36.6ns。另外,該器件在高電場(chǎng)強(qiáng)度下離子遷移現(xiàn)象被有效抑制,使得該器件的最低檢測(cè)劑量率相對(duì)于直接型X射線探測(cè)器MAPbI3和間接型X射線探測(cè)器件Cs3Cu2I5分別降低1.5倍和10倍。這種新型X射線探測(cè)器為下一代產(chǎn)品提供了新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。
聲明:
“直接-間接混合型鈣鈦礦X射線探測(cè)器及其閃爍體的光產(chǎn)額計(jì)算方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)