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高比表面積的TiN電極、制備方法及其應(yīng)用

811   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 20:32:59
本發(fā)明屬于新能源技術(shù)領(lǐng)域,提供一種高比表面積的TiN電極、制備方法及其應(yīng)用。主要是通過硅片制絨工藝對硅襯底表面進(jìn)行粗糙化處理,在襯底材料表面形成由多個(gè)密排微米級金字塔組成的微觀粗糙結(jié)構(gòu),使沉積在襯底上的TiN電極的比表面積增大,導(dǎo)致其電化學(xué)電容性能顯著提高。這種高比表面積的TiN電極具有廣闊的應(yīng)用前景,例如,可用作微型超級電容器的電極材料。本發(fā)明能夠保證其他工藝過程不變的條件下,克服了原來光滑電極電容性差、活性低等缺點(diǎn),此制造技術(shù)與微電子工藝兼容,方法簡便可行,成本低廉,且經(jīng)濟(jì)效益顯著。
聲明:
“高比表面積的TiN電極、制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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