一種垂直溫梯法生長鋁酸鋰(LiAlO2)和鎵酸鋰(LiGaO2)晶體。 垂直溫梯法是從熔體的底部結(jié)晶, 固液界面自下而上移動生長晶體的一種方法。 所用的溫梯爐是鐘罩式真空電阻爐。溫梯爐內(nèi)生長晶體的坩堝是底部有籽晶槽, 頂端有蓋。周圍加熱體外有保溫屏。坩堝內(nèi)加入按(1+x)∶1(x=0~0.1)配比的 高純粉料經(jīng)混合壓塊成型后裝入。用垂直溫梯法生長LiAlO2和LiGaO2晶 體克服了熔體組分揮發(fā)的問題, 可以生長出作為GaN基藍光襯底的大面積的 LiAlO2和LiGaO2晶體。
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