本發(fā)明公開了一種鉭酸鋰基片的拋光方法,包括如下步驟:a)將切割后的鉭酸鋰晶片,用粒度為5~20um的磨料研磨,獲得表面具有粗糙結(jié)構(gòu)的鉭酸鋰研磨片;b)將鉭酸鋰研磨片在盛有硝酸和氫氟酸混合酸的密閉容器中直接進(jìn)行化學(xué)腐蝕,使鉭酸鋰晶片的粗糙度<200nm,平坦度<5um,獲得表面隨機(jī)無序凹坑結(jié)構(gòu)的鉭酸鋰腐蝕片;c)將鉭酸鋰腐蝕片用單拋機(jī)和拋光液進(jìn)行單面拋光,拋光壓力為0.005~1MPa,使鉭酸鋰晶片的粗糙度<0.5nm,平坦度<3um,獲得鉭酸鋰單拋片。本發(fā)明一次拋光,批量生產(chǎn),拋光效率高,生產(chǎn)的鉭酸鋰基片表面平坦度高,這一特征決定了鉭酸鋰基片在器件應(yīng)用中不易破碎,材料利用率高,加工成品率高。
聲明:
“鉭酸鋰基片的拋光方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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