本發(fā)明提供的是一種嵌入式鈮酸鋰或鉭酸鋰單晶芯光纖的制備方法及單晶芯光纖。本發(fā)明單晶芯光纖由低折射率的二氧化硅石英玻璃包層和高折射率的鈮酸鋰或鉭酸鋰單晶芯組成。本發(fā)明是采用將鈮酸鋰或鉭酸鋰單晶圓柱棒或多晶圓柱棒嵌入到低軟化溫度點(diǎn)的高純厚壁石英管中,通過加熱拉伸、堆積組棒、光纖拉制及纖芯單晶化等步驟來制備石英包層鈮酸鋰或鉭酸鋰單晶芯光纖。通過將光纖拉制與晶體生長相結(jié)合,本發(fā)明克服了一般單晶光纖生長方法所制備的晶纖長度較短,且光纖形貌存在諸多缺陷及與光通信系統(tǒng)中的標(biāo)準(zhǔn)單模光纖不能兼容的缺點(diǎn)。且用該方法生長出的單晶光纖具有絲徑、長度可控等優(yōu)點(diǎn),可用于微小型及在線光子調(diào)控的相位調(diào)制器等。
聲明:
“嵌入式鈮酸鋰或鉭酸鋰單晶芯光纖的制備方法及單晶芯光纖” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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