本實(shí)用新型涉及一種鈮酸鋰光波導(dǎo)
芯片,包括單晶硅基板、薄膜鈮酸鋰、設(shè)置在薄膜鈮酸鋰上的負(fù)熱光系數(shù)材料、設(shè)置在單晶硅基板上并包覆鈮酸鋰薄膜和負(fù)熱光系數(shù)材料的二氧化硅包層,以及設(shè)置在二氧化硅包層上的金屬電極;薄膜鈮酸鋰包括鈮酸鋰中心脊,或者,包括質(zhì)子交換層和鈮酸鋰側(cè)翼。由于鈮酸鋰的折射率隨溫度的升高而增大,本實(shí)用新型利用負(fù)熱光系數(shù)材料折射率隨溫度升高而降低的特性,通過(guò)在鈮酸鋰薄膜上設(shè)置合適厚度的負(fù)熱光系數(shù)材料層,可以消除鈮酸鋰光波導(dǎo)有效折射率對(duì)溫度的敏感性,實(shí)現(xiàn)了幾種非熱敏設(shè)計(jì)的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu),可以有效降低薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片的熱光系數(shù),使薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)的各種物理性能對(duì)溫度變化不敏感。
聲明:
“鈮酸鋰光波導(dǎo)芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)