本發(fā)明提供了一種基于鋰摻雜氧化鈮的多功能存儲器件及其制備方法,該多功能存儲器件包括:底電極,轉(zhuǎn)變層和頂電極;轉(zhuǎn)變層的材料為鋰摻雜氧化鈮薄膜。本申請的多功能存儲器件,轉(zhuǎn)變層的材料為鋰摻雜氧化鈮薄膜。且氧化鈮是一種良好的相變材料,制備工藝簡單;該材料價(jià)格較低,成本可控;本申請采用鋰摻雜氧化鈮作為轉(zhuǎn)變層,由于鋰金屬易氧化且與氧空位相互作用,鋰和氧空位一起形成的導(dǎo)電細(xì)絲更加穩(wěn)定,故而使得基于該器件阻變過程中的最低限流低至500μA時實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的雙極性轉(zhuǎn)變性能。同時基于該材料所得的器件還具有良好的憶阻特性,并且可以用來模擬神經(jīng)突觸;本申請的基于鋰摻雜氧化鈮的多功能存儲器件,也可實(shí)現(xiàn)選通性能。
聲明:
“基于鋰摻雜氧化鈮的多功能存儲器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)