本發(fā)明提供一種鈮酸鋰單晶薄膜
芯片及其制作方法。制作方法包括在支撐晶圓上依次制備介質(zhì)層和鈮酸鋰薄層;對(duì)介質(zhì)層與鈮酸鋰薄層之間的鍵合界面進(jìn)行缺陷檢測(cè);分析并記錄二維尺寸大于預(yù)先設(shè)定值的缺陷的位置;在缺陷的周圍設(shè)置隔離槽,隔離槽在周向上包圍缺陷,隔離槽的深度大于或等于鈮酸鋰薄層的厚度。通過該制作方法制作的鈮酸鋰單晶薄膜芯片不僅能夠有效地防止缺陷的擴(kuò)大和擴(kuò)散,而且能夠有效地釋放大片鈮酸鋰薄層在晶圓上的應(yīng)力積累。
聲明:
“鈮酸鋰單晶薄膜芯片及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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