本實(shí)用新型公開了一種鉭酸鋰敏感元及應(yīng)用其的紅外熱釋探測(cè)器,包括鉭酸鋰晶圓、底部電極、硅襯底、頂部電極和吸收層。本實(shí)用新型對(duì)鉭酸鋰晶圓頂部金屬電極進(jìn)行圖案化處理,對(duì)于單個(gè)
芯片而言,通過(guò)硬掩膜設(shè)計(jì)將頂部電極一分為二,和底部金屬電極共同構(gòu)成了兩個(gè)熱釋電探測(cè)器敏感元,頂部電極通過(guò)圖案化處理,預(yù)留引線鍵合區(qū)域,降低工藝制程風(fēng)險(xiǎn),通過(guò)磁控濺射進(jìn)行鉭酸鋰敏感元的沉積代替研磨拋光法,簡(jiǎn)化了制備工藝,降低了制程難度,兼容半導(dǎo)體工藝,并且可以通過(guò)沉積得到厚度更薄的敏感元,探測(cè)器的響應(yīng)性能更優(yōu)異,在底部電極和襯底之間增加熱絕緣膜層,可以降低鉭酸鋰敏感元的熱損耗,提高器件對(duì)紅外輻射的吸收和響應(yīng)。
聲明:
“鉭酸鋰敏感元及應(yīng)用其的紅外熱釋探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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