本發(fā)明提供一種基于馬赫-曾德干涉的硅基鈮酸鋰薄膜光調(diào)制器,包括行波電極,鈮酸鋰波導(dǎo)層,下包層,地電極和襯底,所述的襯底上表面覆蓋所述的地電極;所述的地電極上表面覆蓋所述的下包層;所述的下包層上表面覆蓋所述的鈮酸鋰鈮酸鋰波導(dǎo)層;所述的鈮酸鋰波導(dǎo)層上表面覆蓋所述的行波電極;所述的鈮酸鋰波導(dǎo)層包括鈮酸鋰晶體和鈦擴(kuò)散條波導(dǎo),所述的鈮酸鋰晶體設(shè)置在鈦擴(kuò)散條波導(dǎo)的下表面中部。本發(fā)明的鈮酸鋰波導(dǎo)層的設(shè)置,在實(shí)現(xiàn)低功耗驅(qū)動(dòng)的同時(shí)降低了調(diào)制器的尺寸,提高了器件的穩(wěn)定性,具有制作工藝簡(jiǎn)便,器件尺寸小,穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),便于推廣和使用。
聲明:
“基于馬赫-曾德干涉的硅基鈮酸鋰薄膜光調(diào)制器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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