本發(fā)明公開了一種基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列,包括:硅基襯底;沉積在所述硅基襯底上的二氧化硅緩沖層;位于所述二氧化硅緩沖層上的芯層;位于所述芯層上,并包覆所述芯層的二氧化硅包層;其中,所述芯層包括:左右對稱的兩個(gè)鈮酸鋰寬波導(dǎo)、第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵;所述第一鈮酸鋰光柵和第二鈮酸鋰光柵位于兩個(gè)所述鈮酸鋰寬波導(dǎo)之間;所述第一鈮酸鋰光柵位于所述第二鈮酸鋰光柵左邊。本發(fā)明還公開了基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列的制造方法。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)在1550nm光波段抑制波導(dǎo)間串?dāng)_,實(shí)現(xiàn)高透過率,低插入損耗。
聲明:
“基于鈮酸鋰的波導(dǎo)陣列及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)