本發(fā)明的課題是提供一種溫度、時間等相關(guān)的處理?xiàng)l件的管理容易而且體積電阻值的面內(nèi)分布極少的鈮酸鋰(LN)基板及其制造方法。本發(fā)明的解決方案是使用通過切克勞斯基法培養(yǎng)成的LN單晶制造LN基板的方法,其特征在于,將單晶中的Fe濃度超過1000質(zhì)量ppm且在2000質(zhì)量ppm以下并且被加工成基板狀態(tài)的LN單晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al2O3的混合粉末中,在450℃以上且小于550℃的溫度條件下進(jìn)行熱處理,由此來制造體積電阻率被控制在超過1×1010Ω·cm且在2×1012Ω·cm以下的范圍的鈮酸鋰單晶基板。
聲明:
“鈮酸鋰單晶基板及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)