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帶底電極的硅基鉭酸鋰單晶薄膜襯底及其制備方法和應用

978 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 21:12:58

本發(fā)明公開了一種帶底電極的硅基鉭酸鋰單晶薄膜襯底及其制備方法和應用。本發(fā)明通過采用一不帶底電極的硅基鉭酸鋰單晶薄膜襯底，包含硅支撐層和鉭酸鋰單晶薄膜層，其中硅支撐層預先經離子注入處理；先在該襯底薄膜層表面生長一金屬層，然后將該金屬層與表面沉積金屬的氧化硅襯底的金屬層鍵合，其中氧化硅襯底的金屬層在氧化硅層表面；最后經過硅的離子剝離及后續(xù)拋光，間接地將鉭酸鋰單晶薄膜和金屬層轉移至氧化硅襯底上，從而形成帶底電極的硅基鉭酸鋰單晶薄膜襯底。本發(fā)明避免了直接剝離鉭酸鋰并轉移其薄膜和金屬層至沉積了金屬的氧化硅襯底表面的熱失配風險，該方法可為高響應度的鉭酸鋰熱釋電紅外探測器的制備提供厚度定制化的薄膜襯底。

聲明：

“帶底電極的硅基鉭酸鋰單晶薄膜襯底及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)