本發(fā)明涉及光纖通信傳輸技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種鈮酸鋰光調(diào)制器及其制備與封裝方法,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中鈮酸鋰波導(dǎo)
芯片的尺寸較大、制備工藝較為復(fù)雜、封裝工藝較為簡(jiǎn)陋的問題,其技術(shù)要點(diǎn)在于使用氫化非晶硅在鈮酸鋰基底上制備波導(dǎo)結(jié)構(gòu),利用非晶硅的高折射率可以有效減小波導(dǎo)尺寸,從而減小鈮酸鋰光調(diào)制器上金屬電極之間的間距,進(jìn)而使得所需調(diào)制電壓低;通過調(diào)節(jié)氫化非晶硅的厚度在保證波導(dǎo)尺寸的前提下最大化器件的光電效應(yīng),通過控制二氧化硅的厚度以及金屬電極的厚度,能夠保證較好的射頻匹配,而與外界連接的光纖接口通過在穿過波導(dǎo)層的波導(dǎo)線實(shí)現(xiàn);完善的封裝工藝可以降低漏電現(xiàn)象發(fā)生的概率,避免因環(huán)境潮濕而導(dǎo)致的短路現(xiàn)象的發(fā)生。
聲明:
“鈮酸鋰光調(diào)制器及其制備與封裝方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)