本發(fā)明公開一種可調(diào)節(jié)雙折射率差的1310nm波長的Y切Z傳鈮酸鋰波導(dǎo)的制備方法,所述雙折射率差值的范圍在1.5×10-5~4.8×10-3,所述制備方法包括:在清洗干凈的Y切鈮酸鋰晶片上蒸發(fā)一層鈦膜,所述鈦膜的厚度為65nm~105nm;對所述鈦膜進行腐蝕,在所述Y切鈮酸鋰晶片表面形成沿所述Y切鈮酸鋰晶片Z方向延伸的鈦條,得到包括所述Y切鈮酸鋰晶片以及所述鈦條的
芯片,所述鈦條的寬度為6μm~8.5μm;將清洗干凈的所述芯片置于通入濕氧且設(shè)定擴散溫度的環(huán)境下,靜止擴散時間后取出所述芯片即為所述Y切Z傳鈮酸鋰波導(dǎo),所述擴散時間為6小時~12小時。本發(fā)明通過選擇鈦膜的厚度、鈦條的寬度或者擴散時間,從而能夠很好地調(diào)節(jié)Y切Z傳鈮酸鋰波導(dǎo)的雙折射率差。
聲明:
“可調(diào)節(jié)雙折射率差的1310nm波長的Y切Z傳鈮酸鋰波導(dǎo)的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)