一種高抗團(tuán)聚RGO基磁性鋰離子印跡聚合物的制備方法,它涉及一種鋰離子印跡聚合物的制備方法。本發(fā)明的目的是要解決現(xiàn)有回收鋰的方法成本高且步驟繁雜和現(xiàn)有磁性離子印跡聚合物制備方法負(fù)責(zé)和容易團(tuán)聚,導(dǎo)致對(duì)鋰吸附容量降低的問題。方法:一、制備Fe3O4/RGO;二、制備Fe3O4@SiO2@IIP/RGO,即為高抗團(tuán)聚RGO基磁性鋰離子印跡聚合物。本發(fā)明制得的高抗團(tuán)聚RGO基磁性鋰離子印跡聚合物相較于目前的鋰離子印跡材料有明顯的抗團(tuán)聚特性,飽和吸附容量顯著提升。本發(fā)明制得的高抗團(tuán)聚RGO基磁性鋰離子印跡聚合物對(duì)鋰離子的吸附率可達(dá)99.9%。本發(fā)明可獲得一種高抗團(tuán)聚RGO基磁性鋰離子印跡聚合物。
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“高抗團(tuán)聚RGO基磁性鋰離子印跡聚合物的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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