本發(fā)明提出一種的工藝制備過(guò)程,用來(lái)制作耐高溫的單晶薄膜鈮酸鋰或鉭酸鋰晶圓。在進(jìn)行離子注入之后,在晶片和硅襯底旋涂氫倍半硅氧烷聚合物光刻膠,然后在進(jìn)行晶圓鍵合,通過(guò)調(diào)整熱退火的溫度、時(shí)間以及氣體,使晶片內(nèi)部形成損傷層膨脹,進(jìn)而將薄膜剝離,同時(shí)將氫倍半硅氧烷聚合物光刻膠變性成為致密的二氧化硅薄膜,之后對(duì)單晶鈮酸鋰晶圓另一面進(jìn)行拋光打磨,得到耐高溫的鈮酸鋰薄膜。利用此工藝制備的鈮酸鋰或鉭酸鋰薄膜晶圓的耐高溫性能將會(huì)大大提高,極大拓展了鈮酸鋰或者鉭酸鋰薄膜材料在微納器件領(lǐng)域的應(yīng)用。
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“改善鈮酸鋰薄膜晶圓穩(wěn)定性的工藝方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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