本發(fā)明公開(kāi)了一種鈮酸鋰薄膜刻蝕方法,一種鈮酸鋰薄膜刻蝕方法,一種鈮酸鋰薄膜刻蝕方法,包括硅襯底層、二氧化硅下包層、鈮酸鋰芯層、第一鉻金屬阻擋層;針對(duì)現(xiàn)有的干法刻蝕重新對(duì)氟基氣體和氬離子刻蝕環(huán)節(jié)進(jìn)行優(yōu)化,以氟基氣體為主的化學(xué)物理作用側(cè)重于提高刻蝕效率和增加刻蝕深度,以氬離子為主的物理作用側(cè)重于去除前一種刻蝕方法中生成的氟化鋰固體沉積物,兩者相互結(jié)合以實(shí)現(xiàn)鈮酸鋰薄膜的高效和高質(zhì)量刻蝕。尤其是對(duì)于大膜厚的鈮酸鋰薄膜,在上述刻蝕方法的作用下,也可以起到明顯的作用和效果。因此本發(fā)明的刻蝕方法適用于所有膜厚的鈮酸鋰薄膜,具有工藝方案改造成本低、兼容性高、可靠性好及實(shí)施便捷等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“鈮酸鋰薄膜刻蝕方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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