本發(fā)明公開了一種基于金剛石晶格的
半導體材料,涉及
半導體技術(shù)領(lǐng)域。所述半導體材料為在所述襯底表面均勻鋪設(shè)含有鋰元素的粉末,以含碳和含氮的混合氣體作為氣體源,采用化學氣相沉積法在襯底上生長出的薄膜,另外,本發(fā)明還提出一種相應(yīng)的制造設(shè)備。本發(fā)明能夠阻止鋰原子摻入金剛石后擴散聚集成鋰團簇,保證了鋰原子在晶格中的活性狀態(tài)。
聲明:
“基于金剛石晶格的半導體材料及其制造設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)