本發(fā)明涉及一種硅和鈮酸鋰混合集成光調(diào)制器，包括絕緣體上硅基光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、光學(xué)分束結(jié)構(gòu)、硅楔形波導(dǎo)光學(xué)模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)、鍵合介質(zhì)層、鈮酸鋰波導(dǎo)、信號(hào)金屬電極和接地金屬電極，其中絕緣體上硅基光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)與光學(xué)分束結(jié)構(gòu)的輸入端連接，光學(xué)分束結(jié)構(gòu)的兩個(gè)輸出端分別通過(guò)硅楔形波導(dǎo)光學(xué)模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)與鈮酸鋰波導(dǎo)連接；所述信號(hào)金屬電極設(shè)置在鈮酸鋰波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相對(duì)的一側(cè)；接地金屬電極設(shè)置在鈮酸鋰波導(dǎo)結(jié)構(gòu)相背的一側(cè)；所述混合集成光調(diào)制器是一種雙層結(jié)構(gòu)：硅基光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、光學(xué)分束結(jié)構(gòu)、硅楔形波導(dǎo)光學(xué)模式轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)設(shè)置在鍵合介質(zhì)層內(nèi)，鈮酸鋰波導(dǎo)、信號(hào)金屬電極和接地金屬電極設(shè)置在鍵合介質(zhì)層上方。