本發(fā)明屬于固體激光器技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種固體激光器的鈮酸鋰封鎖電壓設(shè)置方法。所述方法首先分別找出常溫、高溫和低溫下鈮酸鋰晶體的封鎖區(qū)間,然后找出常溫封鎖區(qū)間、高溫封鎖區(qū)間和低溫封鎖區(qū)間的共同區(qū)間,共同區(qū)間的最小封鎖電壓值表示為Vmin,最大封鎖電壓值Vmax;計(jì)算出共同封鎖區(qū)間的最小封鎖電壓和最大封鎖電壓的中間值V=(Vmax+Vmin)/2,則將V設(shè)置為激光器的鈮酸鋰封鎖電壓值。該方法對(duì)鈮酸鋰封鎖電壓設(shè)置方法進(jìn)行了優(yōu)化,使得在同樣質(zhì)量的鈮酸鋰晶體條件下,僅僅通過(guò)改變其封鎖電壓的調(diào)試設(shè)置方法,便可以提高鈮酸鋰晶體合格率,滿足激光器使用要求。
聲明:
“固體激光器的鈮酸鋰封鎖電壓設(shè)置方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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