一種鈮酸鋰光調(diào)制器,使用非晶硅在鈮酸鋰基底上制備波導結(jié)構(gòu),利用非晶硅的高折射率可以有效減小波導尺寸,從而減小金屬電極之間的間距,進而使得所需調(diào)制電壓低。優(yōu)選使用氫化非晶硅制作波導
芯片,其Si:H鏈的存在能夠減小光學損耗??梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)氫化非晶硅的厚度在保證波導尺寸的前提下最大化器件的光電效應(yīng)。通過控制二氧化硅的厚度以及金屬電極的厚度,能夠保證較好的射頻匹配,而與外界連接的光纖接口通過在穿過波導層的波導線實現(xiàn),由于上述波導線都在波導層,能夠留足封裝或測試的金屬區(qū)域。完善的封裝工藝可以降低漏電現(xiàn)象發(fā)生的概率,避免因環(huán)境潮濕而導致的短路現(xiàn)象的發(fā)生,一定程度上提高了鈮酸鋰光調(diào)制器對環(huán)境的適應(yīng)能力。
聲明:
“鈮酸鋰光調(diào)制器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)