本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜鈮酸鋰單偏振波導(dǎo)及其制備方法,屬于集成光子學(xué)領(lǐng)域。該波導(dǎo)從上至下包括上包層、鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)芯層、下包層和襯底層;所述鈮酸鋰薄膜波導(dǎo)芯層包括脊形波導(dǎo)和位于所述脊形波導(dǎo)兩側(cè)的槽形區(qū)域;脊形波導(dǎo)的寬度和刻蝕深度小于TM0模式存在截止值,脊形波導(dǎo)中的TM0模式與和所述槽形區(qū)域中的TE1模式發(fā)生交叉耦合;槽形區(qū)域的寬度取值使得從所述脊形波導(dǎo)中TM0模式耦合到兩側(cè)槽形區(qū)域的TE1模式與泄漏到槽形區(qū)域的TM0模式發(fā)生相干相長(zhǎng)。通過(guò)優(yōu)化微納光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù),獲得僅支持TE0模式穩(wěn)定傳輸?shù)牟▽?dǎo)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中的薄膜鈮酸鋰單偏振波導(dǎo)對(duì)光場(chǎng)的限制能力強(qiáng),提高了器件的集成度,簡(jiǎn)化了工藝流程。
聲明:
“薄膜鈮酸鋰單偏振波導(dǎo)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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