本發(fā)明公開了一種高質(zhì)量薄膜鈮酸鋰微納光柵的制備方法,包括:對(duì)LNOI材料進(jìn)行表面清潔;制備高精度的電子束標(biāo)記;涂覆電子束正膠ZEP 520A,進(jìn)行LNOI光柵圖形以及電子束標(biāo)記保護(hù)區(qū)域曝光;蒸發(fā)剝離Ni金屬,作為光柵波導(dǎo)刻蝕掩膜;采用F基RIE干法刻蝕與NH
4OH:H
2O
2:H
2O的濕法處理,循環(huán)多次達(dá)到指定刻蝕深度;采用30%HNO
3去除剩余的Ni掩膜;生長(zhǎng)氧化硅上包層。本發(fā)明所述方法用于制備LNOI光柵,有效解決了鈮酸鋰刻蝕后生成物附著問題,提高了LNOI光柵的側(cè)壁光滑度和垂直度。
聲明:
“高質(zhì)量薄膜鈮酸鋰微納光柵的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)