本發(fā)明提供了一種c軸取向鈮酸鋰晶體薄膜的制 備方法,該方法是采用脈沖激光沉積,以非晶SiO2薄膜作為緩沖層在硅單晶襯底上生長c軸取向LiNbO3晶體薄膜,其步驟如下:首先采用熱氧化技術(shù)在硅襯底上生長出非晶SiO2薄膜;然后以氧化后的硅為襯底,以等化學(xué)計(jì)量比LiNbO3多晶陶瓷或富鋰LiNbO3多晶陶瓷為靶材,放入脈沖激光沉積設(shè)備的真空室中,靶材與襯底之間距離在3-5cm,通入高純氧氣進(jìn)行沉積,氧壓保持在10-50Pa,激光頻率在1-7Hz,沉積溫度在500℃-650℃,生長c軸取向LiNbO3晶體薄膜。本發(fā)明方法制備工藝簡單,所得LiNbO3晶體薄膜具有良好的c軸擇優(yōu)取向性。
聲明:
“c軸取向鈮酸鋰晶體薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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