本發(fā)明公開(kāi)了
鋰電池充電管理的VDMOS器件包括襯底、第一外延層,自第一外延層延伸至襯底內(nèi)的第一溝槽,第一溝槽內(nèi)填充第二外延層,位于第一溝槽之間并延伸至襯底的第二溝槽,第二溝槽內(nèi)填充第一氧化硅層,形成在第二溝槽和第一外延層上的第二氧化硅層、位于第二氧化硅層之間的開(kāi)口、以及第二氧化硅層上的
多晶硅層,第二溝槽之間的體區(qū)、體區(qū)內(nèi)并位于開(kāi)口與第二氧化硅層連接的第一注入?yún)^(qū)、位于第一注入?yún)^(qū)之間的第二注入?yún)^(qū)、以及襯底下表面延伸至第一溝槽并與部分第二溝槽連接的第三注入?yún)^(qū),第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。本發(fā)明還提供鋰電池充電管理的VDMOS器件制備方法,提升過(guò)溫反饋速率,提高了鋰電池充電管理的工作穩(wěn)定性。
聲明:
“鋰電池充電管理的VDMOS器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)