本發(fā)明涉及一種摻釹氟化釔釓鋰晶體及其生長方法,原理是在Nd:YLF晶體中摻入GdF3,其化學式為:Ndx:Y(1-x-y)GdyLiF4。其中x=0~0.02,y=0.005~0.1,Gd與Y是性質(zhì)相近的
稀土元素,Gd離子半徑比Y離子半徑大4%,剛好介于Nd3+與Y3+之間,大離子半徑Gd3+的摻入部分替代Y3+進入晶格,減小了晶體的內(nèi)部張力,同時減小Y3+附近刃型位錯應變能,從而可以抑制位錯的遷移和重排,從而降低位錯的密度,即抑制小角晶界的形成,可以有效改善Nd:YLF晶體的光學均勻性,獲得高光學質(zhì)量,物理性優(yōu)良的摻釹氟化釔釓鋰晶體,其激光二極管泵浦光-光轉(zhuǎn)換效率超過60%,該激光晶體采用提拉法進行生長,工藝簡單,能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模低成本的批量生產(chǎn)。
聲明:
“摻釹氟化釔釓鋰晶體及其生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)