本發(fā)明提供了一種摻鉺-鈮酸鋰晶體及制備方法。它是以99.99wt%MgO、 99.99wt%Er2O3、99.99wt%Nb2O5、99.99wt%LiCO3為基礎(chǔ)原料,MgO的摻雜量分別為 0~8mol%,Er2O3的摻雜量為1~4mol%,Li/Nb=0.946~0.65。本發(fā)明綜合運(yùn)用抗光損傷元素?fù)?雜與化學(xué)計(jì)量比生長兩種手段,同時實(shí)現(xiàn)有源光波導(dǎo)器件基質(zhì)材料-鈮酸鋰晶體的Er離子低 簇位濃度、強(qiáng)抗光損傷能力,獲得明顯增強(qiáng)的1.5μm波段光發(fā)射性能,推動有源LN光波導(dǎo) 器件向?qū)嵱没A段邁進(jìn)。
聲明:
“摻鉺-鈮酸鋰晶體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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