本發(fā)明涉及非真空坩堝下降法生長(zhǎng)鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體的方法,包括:(1)選用NaI、6LiX和TlX作為原料,再與脫氧劑混合后,置于坩堝中并密封;(2)將密封后的坩堝豎直置于晶體生長(zhǎng)爐的中間位置,然后升溫至700~1000℃并保溫一定時(shí)間,使原料完全熔融;(3)設(shè)置固液界面的溫度梯度為10~50℃/cm,坩堝下降速度為0.1~10mm/小時(shí),開(kāi)始鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體的生長(zhǎng);(4)生長(zhǎng)結(jié)束后,降至室溫。
聲明:
“非真空坩堝下降法生長(zhǎng)鋰鉈共摻碘化鈉閃爍晶體的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)