本發(fā)明涉及
半導體材料加工技術領域,尤其是一種大尺寸超薄高精度鈮酸鋰晶片加工方法,該方法包括切片、倒角、研磨800、黑化、研磨2000和拋光步驟;所述研磨800步驟和研磨2000步驟中均采用雙面研磨機,在22℃±2℃下,研磨加壓方式采用分段緩慢加壓方式;所述拋光步驟中采用雙面拋光機,在22℃±2℃下,設備最大轉速為6?10rpm,采用SiO
2拋光液,比重為1.06?1.20,拋光加壓方式采用分段緩慢加壓方式。因加壓時采用緩慢、逐漸加壓的方式,極大減小了劃傷、碎片、裂片等情況,同時搭配本發(fā)明的夾具,可以有效地減少塌邊、爆邊、研磨不充分等情況,極大提高了生產(chǎn)的良品率,擺脫廠家半導體機臺設備應用的牽引。
聲明:
“大尺寸超薄高精度鈮酸鋰晶片加工方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)