本實用新型提供一種NLDMOS器件,還提供了一種鋰電保護器件。其中實施例中NLDMOS器件包括P型襯底、柵極,分別位于柵極兩側(cè)的源極和漏極,位于P型襯底底部的Body區(qū)域;其中,柵極、源極和漏極從NLDMOS器件的表面引出;Body區(qū)域從NLDMOS器件的底部引出。本實用新型縮小了NLDMOS器件的面積。
聲明:
“NLDMOS器件、鋰電保護器件、芯片及電子產(chǎn)品” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)