本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,公開了一種倒置結(jié)構(gòu)OLED器件與制備方法,包括制備
碳酸鋰?甲酸溶液;制備碳酸鋰?硼酸溶液;處理ITO透明陰極;在ITO透明陰極涂覆碳酸鋰?甲酸溶液和碳酸鋰?硼酸溶液中的一種,并退火得到電子注入層,最后在多源熱蒸發(fā)系統(tǒng)依次沉積BPhen電子傳輸層、PBD發(fā)光層、CBP空穴傳輸層、MoO3空穴注入層和Al陽極,得到倒置結(jié)構(gòu)OLED器件。碳酸鋰?甲酸作為電子注入層,基于PBD發(fā)光層,OLED器件表現(xiàn)出優(yōu)異的光電器件性能,有5.24mW/cm2的最大輻射度和2.47%的EQE,碳酸鋰?甲酸層表現(xiàn)出優(yōu)異的電子性能并有助于電子注入,從而提高了倒置結(jié)構(gòu)OLED器件的電光性能。
聲明:
“倒置結(jié)構(gòu)OLED器件與制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)