基于鐵電金屬異質(zhì)結(jié)的憶阻器,其中憶阻器材料鐵電鈮酸鋰,采用脈沖激光沉積系統(tǒng)制備:將單晶LN靶材(4)固定在脈沖激光沉積制膜系統(tǒng)的靶臺(5)上,放置在脈沖激光沉積制膜系統(tǒng)的生長室(6)中;生長室中的真空抽到0.8×10-4Pa以下,并通入氧氣,氧氣壓25～35Pa間,將襯底溫度升到600～650℃間;啟動KrF準分子激光器,根據(jù)單脈沖能量,確定沉積時間,沉積厚度為30nm～200nm厚LN薄膜;原位500～650℃退火20～90min;該薄膜具有自發(fā)極化和180°疇界。將憶阻器鐵電鈮酸鋰薄膜夾在兩金屬電極膜之間構(gòu)成微型三明治結(jié)構(gòu)憶阻器單元。該器件可應(yīng)用于高密度低能耗非易失性阻變存儲器。