xOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應(yīng)用,加工技術(shù)"> xOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應(yīng)用,本發(fā)明公開了一種三LiMnxOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應(yīng)用。所述的三維納米片陣列表面富含氧空位,由碳層包覆的MnO,γ?MnO2及LiMn2O4構(gòu)成的復(fù)合物組成,以Mn(CH3COO)2為原料,Na2SO4為電解質(zhì),水作為溶劑,泡沫鎳作為集流體,通過電化學(xué)沉積法制備前驅(qū)體,再將其轉(zhuǎn)移到LiOH水溶液中通過水熱反應(yīng)嵌鋰,最后將嵌鋰后的前驅(qū)體浸泡在葡萄糖水溶液中,再經(jīng)過Ar/H2退火得到表面富含氧空位缺陷的三維LiMnxOy@C納米片陣列材料。該材料">

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LiMnxOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應(yīng)用

1068   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:14:01
本發(fā)明公開了一種三LiMnxOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應(yīng)用。所述的三維納米片陣列表面富含氧空位,由碳層包覆的MnO,γ?MnO2及LiMn2O4構(gòu)成的復(fù)合物組成,以Mn(CH3COO)2為原料,Na2SO4為電解質(zhì),水作為溶劑,泡沫鎳作為集流體,通過電化學(xué)沉積法制備前驅(qū)體,再將其轉(zhuǎn)移到LiOH水溶液中通過水熱反應(yīng)嵌鋰,最后將嵌鋰后的前驅(qū)體浸泡在葡萄糖水溶液中,再經(jīng)過Ar/H2退火得到表面富含氧空位缺陷的三維LiMnxOy@C納米片陣列材料。該材料具有三維陣列結(jié)構(gòu),利于電解質(zhì)進(jìn)入與活性材料反應(yīng),富含氧空位,電化學(xué)性能得到有效提高,同時包覆的碳層可以提高電極材料的導(dǎo)電性和機(jī)械穩(wěn)定性;制備方法簡單環(huán)保,不需要復(fù)雜的后處理過程。
聲明:
“LiMnxOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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