xOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應(yīng)用,加工技術(shù)"> xOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應(yīng)用,本發(fā)明公開了一種三LiMnxOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應(yīng)用。所述的三維納米片陣列表面富含氧空位,由碳層包覆的MnO,γ?MnO2及LiMn2O4構(gòu)成的復(fù)合物組成,以Mn(CH3COO)2為原料,Na2SO4為電解質(zhì),水作為溶劑,泡沫鎳作為集流體,通過電化學(xué)沉積法制備前驅(qū)體,再將其轉(zhuǎn)移到LiOH水溶液中通過水熱反應(yīng)嵌鋰,最后將嵌鋰后的前驅(qū)體浸泡在葡萄糖水溶液中,再經(jīng)過Ar/H2退火得到表面富含氧空位缺陷的三維LiMnxOy@C納米片陣列材料。該材料">
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